Транзисторы семейства MDmesh K5 от ST Microelectronics представляют собой высоковольтные MOSFET, изготовленные по технологии super-junction. По сравнению с предшествующей технологией SuperMESH 3 у транзисторов нового семейства уменьшена толщина основного слоя полупроводниковой структуры, что позволило снизить сопротивление канала в открытом состоянии (Rgs(on)) и базовый параметр оценки MOSFET – FOM (произведение Rgs on на заряд затвора). 

Семейство MDmesh K5 включает транзисторы с напряжением от 800 до 1500 В. Высокое напряжение пробоя транзисторов дает возможность увеличить надежность проектируемых изделий или применить их в более высоковольтных приложениях.

Новые 900–вольтовые транзисторы имеют сопротивление Rgs(on) до 0,1 Ом, причем приборы  в корпусе DPAK имеют лучшую в отрасли величину сопротивления – 0,81 Ом макс. Кроме того, благодаря минимальной в отрасли величине заряда затвора они имеют более высокую скорость переключения. Эти характеристики увеличивают КПД и надежность для всех типов обратноходовых преобразователей мощностью от 35 до 230 Вт. Низкие входные и выходные емкости обеспечивают коммутацию при нулевом напряжении с минимальными потерями энергии в полумостовых преобразователях LLC.

Транзисторы MDmesh K5 идеально подходят для применения в импульсных преобразователях, в 3-фазных вспомогательных источниках питания, для светодиодного освещения,  а также в измерительных приборах, солнечных инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Имеющиеся в наличии транзисторы MDmesh K5

Опубликовано: 04.10.2017