Обычный электрический двигатель потребляет больше половины всей создаваемой им энергии. Наличие инверторного привода и возможность регулировать VSD позволяет серьезно экономить энергию, особенно если сравнить получаемую КПД с двигателями, скорость работы которых фиксирована. Поэтому производители инверторов стараются внедрять экономичные и в то же время надежные полупроводниковые элементы, благодаря которым можно значительно увеличить эффективность системы. Подходящим вариантом являются транзисторы IGBT7 от компании Infineon — немецкой фирмы, занимающейся производством электронных компонентов и микросхем.

Одним из важнейших вопросов, которые ставятся перед инверторами, является ограничение скорости переключения полупроводниковых элементов, что связано с техническими ограничениями изоляции привода. Переключение транзисторов ограничено интервалом от 2 до 10 кВ/мкс со стандартным значением в 5 кВ/мкс. Любой привод испытывает перегрузки в короткий временной промежуток, обычно в момент запуска. Новая технология, разработанная компанией Infineon, IGBT7, полностью соответствует обозначенным техническим характеристикам.

Импортные транзисторы сильно отличаются от электронных компонентов из Китая.

Они основаны на trench-технологии. Основное их достоинство — снижение энергетических потерь во включенном состоянии полупроводникового элемента. IGBT7 отличается хорошей управляемостью и возможностью использования в условиях перегрузки при 175°C.

Плюсы импортных компонентов электронной техники.

Покупка электронных компонентов типа IGBT7 обусловлена следующими их достоинствами:

●            уменьшенные почти вдвое габариты;

●            широкий ассортимент;

●            надёжная технология компоновки;

●            относительно высокая мощность;

●            небольшое напряжение во время эксплуатации;

●            способность выдерживать температуру до 175°C в момент перегрузки;

●            устойчивость к короткому замыканию на 8 мкс;

●            более эффективная управляемость dv/dt;

●            оптимизированные потери на переключение при dv/dt = 5 кВ/мкс.

Последние технологии.

Trench-технология является универсальной для современных силовых транзисторных модулей. Она отличается высокой эффективностью за счет уменьшения энергозатрат на переключение и проводимость. В IGBT7 траншейные ячейки имеют форму полос в отличие от ранее применявшихся структур квадратной формы и разделены мезоструктурами. При уменьшенном шаге тренч-ячеек и мезоструктур небольшой ширины увеличивается проводимость в области смещения, благодаря чему снижается прямое напряжение (примерно на 20% во включенном состоянии). Соответственно, снижаются статические потери и в самом приводе, где используются такие транзисторы.

Для промышленных инверторов были разработаны также управляемый эмиттером диод и диод обратного хода.

Оптимизация переключения.

Изоляция обмоток в некоторых электроприводов периодически попадает под высокое напряжение. Скачки напряжения могут спровоцировать электрический пробой и повредить изоляцию. Поэтому нежелательно превышать параметр dv/dt, минимальное значение которого составляет около 5 кВ/мкс для приводов с напряжением в 400 В.

Поэтому компания Infineon, реализующая электронные компоненты и разъемы, выпустила транзисторы TRENCHSTOP IGBT7, отличающихся высокой управляемостью. Последняя обусловлена возможностью изменения параметра dv/dt за счет изменения величины резистора затвора. Это также положительно влияет на общие энергозатраты.

Купить электронные компоненты в Москве вы можете в интернет-магазине «Компоненты и микросхемы». Широкий ассортимент, удобная доставка и безналичный расчет к вашим услугам. Приборы, радиодетали и электронные компоненты — у нас вы найдете все, что вам нужно!